[发明专利]对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法无效

专利信息
申请号: 200910167477.8 申请日: 2009-08-25
公开(公告)号: CN101661973A 公开(公告)日: 2010-03-03
发明(设计)人: F·J·亨利;A·布雷洛夫 申请(专利权)人: 硅源公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;H01L21/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 申发振
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明涉及对硅太阳能衬底进行切片的轨道配置和方法。提供一种用于由工件制造独立式膜的系统。该系统包括:轨道结构,该轨道结构被配置为传送至少一个工件;和经由终端站耦接至该轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器。每个基于加速器的离子注入器被配置为将具有大于1MeV的能量的粒子引入以注入到载入终端站的工件表面中,从而在工件中形成解理区。该系统包括耦接到轨道结构的一个或更多解理模块,解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜。此外,该系统包括输出端口和一个或更多服务模块,该输出端口耦接至每个解理模块以输出从工件分离的独立式膜,每个服务模块连接至轨道结构。
搜索关键词: 太阳能 衬底 进行 切片 轨道 配置 方法
【主权项】:
1.一种用于由体工件制造独立式膜的系统,所述系统包括:轨道结构,所述轨道结构被配置为传送至少一个工件;经由终端站耦接至所述轨道结构的一个或更多基于加速器的离子注入器,每个基于加速器的离子注入器被配置为将粒子引入以注入到载入终端站的工件的表面中,从而在工件中形成解理区;以及耦接到所述轨道结构的一个或更多解理模块,每个解理模块被配置为进行解理工艺以沿解理区从工件释放独立式膜,由此从工件释放独立式膜之后,将工件返回至终端站以引入更多粒子。
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