[发明专利]一种具有P型浮空层的槽栅IGBT无效
| 申请号： | 200910167912.7 | 申请日： | 2009-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN101694851A | 公开（公告）日： | 2010-04-14 |
| 发明（设计）人： | 李泽宏;钱梦亮;王蓉;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L27/04 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 一种具有P型浮空层的槽栅IGBT，属于半导体功率器件技术领域。本发明在积累层控制的沟槽栅绝缘栅双极型晶体管基础上引入了P型浮空层(11)，有效改善了槽栅底部的电场集中效应，大大提高了器件的击穿电压。同时，P型浮空层的存在引入了一个JFET区，在一定程度上起到了对积累层沟道势垒的屏蔽作用，大大减小了器件的泄漏电流；器件正向导通时，器件的饱和电流密度大为降低，从而大大提高了器件的短路安全工作区(SCSOA)。本发明在维持原有积累层控制的沟槽栅绝缘栅双极型晶体管低的正向导通压降、更大正向偏置安全工作区(FBSOA)和更大的闩锁电流密度的同时，减小了器件的泄漏电流，提高了器件的击穿电压，也使得器件的短路安全工作区大大提高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 型浮空层 igbt | ||
【主权项】：
一种具有P型浮空层的槽栅IGBT，每个元胞包括集电极(1)、P+集电区(2)、N-基区(4)、栅氧化层(5)、多晶硅栅(6)、发射极(7)、N+源区(9)、P+体区(10)和P型浮空层(11)；奇特征在于：所述栅氧化层(5)和多晶硅栅(6)构成沟槽删结构，所述沟槽删结构位于元胞中N-基区(4)的中上方，且沟槽删结构上端面的删氧化层与发射极(7)相连；所述P+体区(10)位于元胞中N-基区(4)的两侧的上方，并分别与发射极(7)和N-基区(4)相连；所述N+源区(9)位于发射极(7)下方，并分别与P+体区(10)、N-基区(4)、发射极(7)和沟槽删结构侧面的删氧化层相连；所述P型浮空层(11)位于沟槽删结构和N-基区(4)之间，并分别于沟槽删结构下端面的删氧化层和N-基区(4)相连。
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