[发明专利]一种a面ZnO薄膜的单源化学气相沉积制备方法

摘要

一种a面ZnO薄膜的单源化学气相沉积制备方法，属电子材料技术领域，涉及非极性a面ZnO薄膜的制备方法。本发明以(012)面Al₂O₃单晶基片作为生长a面ZnO薄膜的基片；以Zn₄(OH)₂(CO₂CH₃)₆·2H₂O作为有机固相ZnO蒸发源；以氮气、氩气或氮气和氩气的混合气体作为ZnO源蒸汽的传输气体；控制有机固相ZnO源的蒸发温度为210℃-250℃，控制基片温度为350℃-700℃，控制传输气体流量为35sccm-80sccm，控制ZnO源蒸汽在基片上的沉积时间为30-120min。本发明采用单一有机固相ZnO源，ZnO源发生自分解反应提供符合化学计量比的Zn原子和O原子，而无需另外引入反应气体；整个薄膜沉积过程可以在常压下进行，制备设备简单，成本低廉；可生产较大面积、表面均匀的a面ZnO薄膜。

主权项

一种a面ZnO薄膜的单源化学气相沉积制备方法，以清洁的(0112)面A12O3单晶基片作为生长a面ZnO薄膜的基片，置于双温区CVD系统的生长室中；以Zn4(OH)2(CO2CH3)6·2H2O作为有机固相ZnO蒸发源，置于双温区CVD系统的高纯氧化铝瓷舟中；以氮气、氩气或氮气和氩气的混合气体作为ZnO源蒸汽的传输气体；控制有机固相ZnO源的蒸发温度为210℃-250℃，控制基片温度为350℃-700℃，控制传输气体流量为35sccm-80sccm，控制ZnO源蒸汽在基片上的沉积时间为30-120min。