[发明专利]一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法

摘要

一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，属于电子材料技术领域，涉及半导体光电薄膜及红外光电探测器，具体是指采用化学浴沉积法制备用于近红外光电探测器的(200)择优取向的硫化铅薄膜的方法。本发明采用化学浴沉积法，通过设计反应前驱物溶液的配置流程，严格控制薄膜的初始成核过程，并通过后续的高温敏化过程，获得(200)择优取向的立方晶相硫化铅薄膜。本发明所制备的硫化铅薄膜具有良好的均匀性和光敏特性，可用于近红外光电探测器。本发明整个制备工艺过程简单、易控，制备装置简单、成本低廉。

主权项

一种(200)择优取向硫化铅薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤1：采用分析纯级氢氧化钠和去离子水配制浓度为0.1M-2.0M的氢氧化钠溶液，记为溶液A；步骤2：采用分析纯级硝酸铅和去离子水配制浓度为0.05M-0.5M的硝酸铅溶液，记为溶液B；步骤3：采用分析纯级硫脲和去离子水配制浓度为0.01M-0.5M的硫脲溶液，记为溶液C；步骤4：将溶液A、溶液B和溶液C分别置于30℃的恒温条件下保存待用；步骤5：取一定量的溶液A缓慢加入一定量的溶液B中，其中氢氧化钠和硝酸铅的摩尔比为3∶1-6∶1之间，搅拌均匀后静置10至20分钟；步骤6：将经清洗并干燥处理后的基片竖直浸没于溶液C中，其中溶液C的温度控制在30℃；步骤7：取步骤5所得溶液A和溶液B混合后的上层清液，缓慢加入到溶液C中，其中硝酸铅和硫脲的摩尔比为2∶1-1∶1之间；在此过程中，采用磁力搅拌器对溶液进行搅拌；保持反应沉积液在30℃的温度条件下反应沉积30至120分钟；步骤8：取出样品，用去离子水清洗，80℃条件下烘干；步骤9：将烘干后的样品放入敏化炉中进行恒温敏化处理，敏化温度为450℃-600℃，恒温敏化时间为1～2小时，恒温敏化处理后的样品自然冷却至室温，即得(200)择优取向硫化铅薄膜。