[发明专利]薄膜场效应晶体管和使用该薄膜场效应晶体管的显示器有效
| 申请号： | 200910168314.1 | 申请日： | 2009-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN101673770A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 板井雄一郎 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王 英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种薄膜场效应晶体管，包括在其上至少有栅电极、栅极绝缘膜、有源层、源电极和漏电极的衬底，其中所述有源层为氧化物半导体层，在所述有源层和源电极或漏电极中的至少一个之间提供电导率低于所述有源层的电导率的电阻层，并在所述有源层和所述电阻层之间提供包括氧化物的中间层，所述氧化物中的元素与氧的结合力强于所述有源层中氧化物半导体中的元素与氧的结合力。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 场效应 晶体管 使用 显示器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜场效应晶体管，包括在其上至少有栅电极、栅极绝缘膜、有源层、源电极和漏电极的衬底，其中所述有源层为氧化物半导体层，在所述有源层和所述源电极或漏电极中的至少一个之间提供电导率低于所述有源层的电导率的电阻层，并在所述有源层和所述电阻层之间提供包括氧化物的中间层，所述氧化物中的元素与氧的结合力强于所述有源层中氧化物半导体中的元素与氧的结合力。
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