[发明专利]太阳能电池衬底及其制造方法无效
| 申请号： | 200910168518.5 | 申请日： | 2009-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN101800262A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 希恩-明·H·勒;戴维·坦纳 | 申请（专利权）人： | 应用材料股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/042 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;黄韧敏 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了太阳能电池衬底及其制造方法。该方法包括在背接触内沉积一定厚度的中间层，其没有负面影响光穿过太阳能电池的反射或者透射。中间层避免了激光刻划期间金属从背接触的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造光电器件的方法，包括：在玻璃衬底上沉积透明导电氧化物层；在透明导电氧化物层上沉积硅层；在硅层上形成背接触，包括形成沉积在硅层上的氧化锌层，在硅层上沉积中间层，以及在中间层上沉积银层；和穿过背接触激光刻划。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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