[发明专利]半导体制造方法有效
| 申请号： | 200910169153.8 | 申请日： | 2009-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN101673677A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈嘉仁;林益安;林日泽;林志忠;林毓超;陈昭成;黄国泰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体制造方法，该方法包括在制造工艺中界定及/或修改栅极结构高度的步骤。上述栅极高度可在制造工艺中一个或以上的阶段，借由蚀刻包含于上述栅极结构中的多晶硅层的一部分而修改(例如降低)。本发明的方法包括于基板上形成一涂层，且该涂层覆盖上述栅极结构。上述涂层经回蚀而露出部分的上述栅极结构。上述栅极结构(例如多晶硅)经回蚀而降低该栅极结构的高度。本发明的制造方法可提供一较大的栅极蚀刻工艺容许度。此外，上述方法使栅极高度根据特定的装置目的而调整，允许在制造工艺中不同的阶段降低栅极高度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，包括：于一半导体基板上形成一栅极结构，其中上述栅极结构包括多晶硅；于上述基板及上述栅极结构上沉积一涂层；回蚀上述涂层，使部分的上述栅极结构露出；以及回蚀上述露出的栅极结构，其中回蚀上述露出的栅极结构包括蚀刻多晶硅。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910169153.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：触摸面板
- 下一篇：图像显示装置及图像显示方法、记录介质
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
