[发明专利]成膜装置及成膜方法、基板处理装置有效
申请号: | 200910169415.0 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101660140A | 公开(公告)日: | 2010-03-03 |
发明(设计)人: | 加藤寿;本间学;织户康一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;H01L21/00;H01L21/285;H01L21/316 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置及成膜方法、基板处理装置。该成膜装置包括:旋转台;第1反应气体供给部件;第2反应气体供给部件;分离区域,其在上述周向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间;第1排气通路;第2排气通路;第1真空排气部件;第2真空排气部件;第1压力检测部件;第2压力检测部件;处理压力检测部件;以及控制部,其根据由上述第1压力检测部件和上述第2压力检测部件检测出的各压力检测值,输出控制上述第1阀和上述第2阀的开度的控制信号,使得上述真空容器内的压力、上述第1排气通路和上述第2排气流过的各气体的流量比成为分别被设定的设定值。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 处理 | ||
【主权项】:
1.一种成膜装置,该成膜装置通过在真空容器内将互相反应的至少两种反应气体按顺序供给到基板表面上并且进行该供给循环,层叠多层反应生成物的层来形成薄膜,其中,包括:旋转台,设置在真空容器内,具有为了载置基板而设置的基板载置区域;第1反应气体供给部件,其朝着上述旋转台的基板载置区域侧的面供给第1反应气体;第2反应气体供给部件,其沿着上述旋转台的周向离开上述第1反应气体供给部件地配置,朝着上述旋转台的基板载置区域侧的面供给第2反应气体;分离区域,其在上述周向上位于被供给上述第1反应气体的第1处理区域和被供给上述第2反应气体的第2处理区域之间;第1排气通路,在上述第1处理区域和上述分离区域之间具有排气口;第2排气通路,在上述第2处理区域和上述分离区域之间具有排气口;第1真空排气部件,其经由第1阀与上述第1排气通路连接;第2真空排气部件,其经由第2阀与上述第2排气通路连接;第1压力检测部件,其设在上述第1阀和上述第1真空排气部件之间;第2压力检测部件,其设在上述第2阀和上述第2真空排气部件之间;处理压力检测部件,其设置在上述第1阀和上述第2阀中的至少一个上;以及控制部,其根据由上述第1压力检测部件和上述第2压力检测部件检测出的各压力检测值,输出控制上述第1阀和上述第2阀的开度的控制信号,使得上述真空容器内的压力、在上述第1排气通路和上述第2排气通路中流过的各气体的流量比成为分别被设定的设定值。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
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C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的