[发明专利]半导体功率器件双面蒸发冷却压接封装无效

专利信息
申请号: 200910169894.6 申请日: 2009-09-08
公开(公告)号: CN102013416A 公开(公告)日: 2011-04-13
发明(设计)人: 王玉富 申请(专利权)人: 王玉富
主分类号: H01L23/427 分类号: H01L23/427;H01L23/367;H01L25/07
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102200 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装,其特征在于所述重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装包括立式装配的半导体功率器件管芯和功率、控制引出线,金属蒸发室。压装的方式更好的适应了现存的大功率半导体器件的生产工艺,并易于管芯的直接更换,封装零件的重复利用,双面蒸发室管换热效率高。
搜索关键词: 半导体 功率 器件 双面 蒸发 冷却 封装
【主权项】:
一种重力循环蒸发冷却半导体功率器件封装,其特征在于所述半导体功率器件封装包括2个密封腔体金属蒸发室,所述的每个蒸发室的一个侧面设有安装平台,两个安装平台从两面压装一个半导体功率器件管芯,与所述半导体功率器件管芯有控制引线面压接金属蒸发室的安装平台留有沟槽,控制引线与其保护管穿过沟槽引出,所述的2个蒸发室的底部和上部分别设置冷媒液体入口和冷媒汽体或汽液两相流出口,冷媒液体入口由绝缘软管并联后或直接连接至系统冷凝器的冷媒液体回流管,汽体或汽液两相流出口由绝缘软管并联后或直接连或经汽液分离室接至系统冷凝器的顶端;
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