[发明专利]用于高精度点布置的改进电子束写入无效

专利信息
申请号: 200910170424.1 申请日: 2009-08-17
公开(公告)号: CN101650948A 公开(公告)日: 2010-02-17
发明(设计)人: D·S·科沃;K·Y·李 申请(专利权)人: 希捷科技有限公司
主分类号: G11B5/09 分类号: G11B5/09;G11B5/012
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 代理人: 钱慰民;谢喜堂
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明为用于高精度点布置的改进电子束写入。一种用于磁存储设备的记录系统,包括:用于生成束的束柱、用于相对于束移动磁存储介质的平台以及用于顺序地或以连续交替方式偏转束的信号发生器。进而,根据磁存储介质的范围上的点位移引导束定向,使得在束柱在范围上的单次通过期间多个点编组的点可被写入。
搜索关键词: 用于 高精度 布置 改进 电子束 写入
【主权项】:
1.一种用于磁存储设备的记录系统,包括:用于生成束的束柱,所述束柱包括响应于一系列偏转信号控制所述束的偏转的偏转板;用于在所述束柱在磁存储介质的范围上的单次通过期间,在将所述束施加到所述磁存储介质的范围上的多个点编组上时,相对于所述束移动所述磁存储介质的平台;以及用于将所述一系列的偏转信号顺序地提供给所述束柱的所述偏转板的信号发生器,其中来自所述信号发生器的一系列偏转信号包括各自具有选择极性和选择幅度的多个信号,从而在束柱的单次经过期间根据磁存储介质上的点编组中的点位移偏转所述束。
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