[发明专利]激光二极管阵列制造微图样设备及微图样的制造方法有效
| 申请号： | 200910170556.4 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101875482A | 公开（公告）日： | 2010-11-03 |
| 发明（设计）人： | 陈英棋;蔡荣源 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | B81C5/00 | 分类号： | B81C5/00;G02B5/30 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种使用激光二极管阵列制造微图样的设备及微图样的制造方法。上述激光二极管阵列设备包括一激光二极管阵列具有至少一个激光二极管，其中各激光二极管所发出的光透过一透镜聚焦在一第二材料位于一第一材料上。至少一轴驱动，以驱动第一材料层及第二材料层的移动，以及一调整装置，以调整各激光二极管之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 激光二极管 阵列 制造 图样 设备 方法 | ||
【主权项】：
一种激光二极管阵列制造微图样的设备，其特征在于，包括：一激光二极管阵列具有至少一个激光二极管；其中各激光二极管所发出的光透过一透镜聚焦在位于一第一材料层上的一第二材料层。
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