[发明专利]设计为用于气相沉积系统中的阱有效
| 申请号： | 200910170785.6 | 申请日： | 2005-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN101684550A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 道韦·J·蒙斯马;吉尔·S·贝克 | 申请（专利权）人： | 剑桥纳米科技公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨献智;田军锋 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了气相沉积系统和与该系统相关的方法。所述系统可设计成包括如下特征：能够促进高质量的沉积；简化制造、改进和使用；以及减少所述系统的占地面积，以及其它优点。 | ||
| 搜索关键词： | 设计 用于 沉积 系统 中的 | ||
【主权项】：
1.一种设计为用于气相沉积系统中的阱，以捕获气态物质，其中所述阱的多数表面区域基本上平行于通过该阱的气态物质流。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
