[发明专利]成膜方法和成膜装置有效
| 申请号： | 200910171078.9 | 申请日： | 2009-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101665918A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 山﨑英亮;池田恭子;瀬川澄江;泽田郁夫 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | C23C16/44 | 分类号： | C23C16/44;C23C16/34;C23C16/06;C23C16/08;H01L21/00;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种成膜方法和成膜装置。该成膜装置不仅能够抑制成膜处理时产生颗粒，还能够以比现有技术中的清洁处理时高的温度进行清洁处理，因此，能够提高处理能力。用于在被处理体(W)的表面形成薄膜的成膜装置(12)包括：处理容器(14)；用于在其上载置被处理体的氮化铝制的载置台(62)；用于对被处理体进行加热的加热单元(66)；与载置台对置、用于向处理容器内导入必要的气体的喷淋头部(18)；和用于在处理容器内的清洁处理后的升温时向喷淋头部的周边部供给不活泼性气体的喷淋头周边部气体供给单元(22)。由此，清洁处理时生成的AlF类物质即使在载置台升温时形成颗粒并飞散，也不会附着于与其相对的喷淋头部。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种成膜装置，其用于在被处理体的表面形成薄膜，其特征在于，包括：能够真空排气的处理容器；氮化铝制的载置台，其设置在所述处理容器内，用于在其上载置所述被处理体；用于对所述被处理体进行加热的加热单元；喷淋头部，其与所述载置台对置，用于向所述处理容器内导入必要的气体；和喷淋头周边部气体供给单元，其用于在所述处理容器内的清洁处理后的升温时，向所述喷淋头部的周边部供给不活泼性气体。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
