[发明专利]层叠型半导体发光装置和图像形成设备有效
申请号: | 200910171368.3 | 申请日: | 2009-08-31 |
公开(公告)号: | CN101677107A | 公开(公告)日: | 2010-03-24 |
发明(设计)人: | 铃木贵人;猪狩友希 | 申请(专利权)人: | 日本冲信息株式会社 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/00;G09F9/33 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张雪梅;李家麟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及层叠型半导体发光装置和图像形成设备。提供一种包括多个半导体发光元件的层叠型半导体发光装置,每个半导体发光元件均包括将电转化为光并且发射光的发光区域。半导体发光元件在垂直于发光区域的成层方向上成层,并且经由具有电绝缘性能的平坦化层而彼此接合。平坦化层包括第一平坦化区域以及第二平坦化区域,该第一平坦化区域在成层方向上安置于半导体发光元件的发光区域上方或下方并且由具有比空气更高折射率的第一平坦化膜形成,该第二平坦化区域不同于第一平坦化区域并且由具有比第一平坦化膜更低折射率的第二平坦化膜形成。在成层方向上,上部半导体发光元件传输由下部半导体发光元件所发射的光。 | ||
搜索关键词: | 层叠 半导体 发光 装置 图像 形成 设备 | ||
【主权项】:
1.一种层叠型半导体发光装置,包括:多个半导体发光元件,每个半导体发光元件包括将电转换为光并且发射所述光的发光区域,所述半导体发光元件在垂直于所述发光区域的成层方向上成层,所述半导体发光元件经由具有电绝缘性能的平坦化层而彼此接合,其中所述平坦化层包括:第一平坦化区域,其在所述成层方向上安置于所述半导体发光元件的所述发光区域上方或下方,并且由具有比空气更高折射率的第一平坦化膜形成,和第二平坦化区域,其不同于所述第一平坦化区域并且由具有比所述第一平坦化膜更低折射率的第二平坦化膜形成,其中,在所述半导体发光元件的所述成层方向上,安置于上侧上的所述半导体发光元件传输由安置于下侧上的所述半导体发光元件所发射的光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本冲信息株式会社,未经日本冲信息株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200910171368.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:确定线圈绕向的装置及方法
- 下一篇:一种空腔构件的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的