[发明专利]碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法和电子设备制造方法无效
| 申请号： | 200910171619.8 | 申请日： | 2009-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN102001620A | 公开（公告）日： | 2011-04-06 |
| 发明（设计）人： | 梶浦尚志;李勇明;王家平;孙静;高濂;王焱;张婧 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | B82B3/00 | 分类号： | B82B3/00;C01B31/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳纳米管制造方法、碳纳米管膜制造方法以及电子设备制造方法，可以在稳定的条件下容易地修复产生在酸化的碳纳米管的侧壁上的缺陷、可以制造特性良好的碳纳米管。该方法，在利用在硝酸中回流来酸化碳纳米管之后，使用尿酸溶液或者氨水处理该碳纳米管。处理温度例如是25℃～90℃，处理时间是2天以上。在使用尿酸溶液或者氨水处理之前，优选使用氯化亚硫酰溶液等处理碳纳米管。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 制造 方法 电子设备 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管制造方法，其特征在于，包括：使用含有具有氨基的化合物的溶液或者氨水处理酸化的碳纳米管的步骤。
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