[发明专利]多射极型双极结晶体管、双极CMOS DMOS器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910171766.5 | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101667591A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 全本谨 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种多射极型双极晶体管包括：掩埋层，形成在半导体衬底的上部上方；外延层，形成在半导体衬底上；集电极区，形成在外延层上并连接到掩埋层；基极区，形成在外延层的上部的一部分中；以及多射极区，形成在半导体衬底的表面上的基极区中并且包括多晶硅材料。一种BCD器件包括：多射极型双极晶体管，具有包括多晶硅材料的多射极区；以及CMOS和DMOS中的至少一个，与多射极型双极晶体管一起形成在单一晶片上。 | ||
| 搜索关键词： | 多射极型双极 结晶体 双极 cmos dmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：掩埋层，形成在半导体衬底的上部上方；外延层，形成在所述半导体衬底的上方；集电极区，形成在所述外延层上并连接到所述掩埋层；基极区，形成在所述外延层的上部的一部分上；以及多射极区，形成在所述半导体衬底的表面上方的所述基极区中并且包括多晶硅材料。
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