[发明专利]掩模及使用掩模来制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 200910171767.X | 申请日： | 2009-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN101666971A | 公开（公告）日： | 2010-03-10 |
| 发明（设计）人： | 姜在贤 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/08;H01L21/00 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 张浴月;张志杰 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于形成金属线和通路接触件的掩模以及使用该掩模来制造半导体器件的方法，能够将不对准最小化。该掩模包括：具有用于遮光的暗色调的第一掩模区域；具有半色调的第二掩模区域，布置在第一掩模区域内且用于形成金属线，以及具有亮色调的第三掩模区域，布置在第二掩模区域内以形成通路接触件。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 掩模来 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：用于遮光的第一掩模区域；布置在该第一掩模区域内且用于形成金属线的第二掩模区域；以及布置在该第二掩模区域内且用于形成通路接触件的第三掩模区域。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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