[发明专利]制造露出元件的功能部的半导体器件的方法无效

专利信息
申请号: 200910171773.5 申请日: 2009-09-02
公开(公告)号: CN101667546A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: 内田建次;平泽宏希 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L31/18
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种制造露出元件的功能部的半导体器件的方法。该种制造半导体器件的方法包括:在具有受光部的晶片上形成第一树脂层;将第一树脂层图案化成预定的形状,并在受光部上形成第一树脂膜;将晶片分成受光元件;将受光元件安装在引线框的上表面上;在第一树脂膜周围形成密封树脂层的密封步骤;以及去除第一树脂膜,使得受光元件的一部分暴露于外部,并且在密封步骤中,使第一树脂膜的上表面与密封树脂层的上表面齐平,或者使第一树脂膜的上表面高于密封树脂层的上表面。
搜索关键词: 制造 露出 元件 功能 半导体器件 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体器件的方法,包括:在晶片上形成第一树脂层,所述晶片具有设置在其中的功能部;将所述第一树脂层图案化成预定的形状,并在所述功能部上或在所述功能部周围形成第一树脂部;将所述晶片分成元件;将所述元件安装在基部的上表面上;使密封模具的模制表面与所述第一树脂部的上表面和所述基部的下表面形成挤压接触,并且在由所述密封模具的所述模制表面包围的间隙部当中,将第二树脂注入在所述第一树脂部周围的所述间隙部,以在所述第一树脂部周围形成第二树脂层;以及去除所述第一树脂部,以使所述元件的一部分暴露于外部,其中,在形成所述第二树脂层的所述步骤中,使所述第一树脂部的上表面与所述第二树脂层的上表面齐平,或者使所述第一树脂部的上表面高于所述第二树脂层的上表面。
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