[发明专利]氮化物半导体LED有效
| 申请号： | 200910172051.1 | 申请日： | 2005-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN101656288A | 公开（公告）日： | 2010-02-24 |
| 发明（设计）人： | 李昔宪 | 申请（专利权）人： | LG伊诺特有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 顾晋伟;王春伟 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化物半导体LED。根据本发明的一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和部分突出在所述第二导电半导体层上的第四半导体层。根据本发明的另一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和铟含量顺序变动的超梯度半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 led | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体发光二极管，包含：第一导电半导体层；在所述第一导电半导体层上的有源层；在所述有源层上的第二导电半导体层；和部分突出在所述第二导电半导体层上的第四半导体层。
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