[发明专利]场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 200910172064.9 | 申请日： | 2009-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN101826553A | 公开（公告）日： | 2010-09-08 |
| 发明（设计）人： | 天清宗山 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L27/085;H01L21/335 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 何欣亭;徐予红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明得到抑制栅极电容的增大并可显著改善耐湿性的场效应晶体管及其制造方法。在半导体层(1)上形成有T型栅极电极(2)的场效应晶体管，将形成有T型栅极电极(2)的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在T型栅极电极(2)上的第一高耐湿性保护膜(5)，该膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括T型栅极电极(2)的伞下在内的T型栅极电极(2)附近，在半导体层(1)与第一高耐湿性保护膜(5)之间形成空隙(6)，用第二高耐湿性保护膜(7)来堵住空隙(6)与外界连接的端面(6a)。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种场效应晶体管，在半导体层上形成有屋檐型栅极电极，其特征在于：将形成有所述屋檐型栅极电极的区域设为晶体管有源区域时，在整个该晶体管有源区域中，具备设置在所述屋檐型栅极电极上的保护膜，该保护膜包含耐湿性和抗蚀刻性高的绝缘膜或有机膜，在包括所述屋檐型栅极电极的伞下在内的所述屋檐型栅极电极附近，在所述半导体层与所述保护膜之间形成有空隙，所述空隙在所述晶体管有源区域端上还被高耐湿性膜包围。
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