[发明专利]成膜装置及基板处理装置

摘要

本发明提供一种成膜装置及基板处理装置，该成膜装置具有：旋转台、从旋转台的周缘朝向旋转中心设置的第1反应气体供给部和第2反应气体供给部、设置于该第1反应气体供给部和第2反应气体供给部之间的第1分离气体供给部。该成膜装置中形成有：包含第1反应气体供给部且具有第1高度的第1空间、包含该第2反应气体供给部且具有第2高度的第2下表面区域、包含第1分离气体供给部且具有第3高度的第1空间，该第3高度低于第1高度和第2高度。设置在旋转台的旋转中心下方的电动机驱动旋转台旋转。旋转台的旋转轴和电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。

主权项

1.一种成膜装置，在真空容器内，按顺序供给包含第1反应气体和第2反应气体的至少两种原料气体，并通过实施按顺序供给所述至少两种所述原料气体的供给循环来形成薄膜，其特征在于，具有：旋转台，其设置在所述真空容器内并能在真空容器内旋转，且具有载置基板的基板载置部；第1反应气体供给部和第2反应气体供给部，其用于供给所述第1反应气体和所述第2反应气体，且各自从所述旋转台的周缘上的不同位置朝向旋转中心设置；第1分离气体供给部，其从所述旋转台周缘上的位于所述第1反应气体供给部和所述第2反应气体供给部之间的位置，朝向旋转中心设置，以便供给将所述第1反应气体和所述第2反应气体分离开的第1分离气体；第1下表面区域，其是所述真空容器顶板下表面上包含所述第1反应气体供给部的部分，距所述旋转台的高度为第1高度；第1空间，其形成于所述第1下表面区域和所述旋转台之间；第2下表面区域，其是所述真空容器顶板下表面上包含所述第2反应气体供给部的部分，位于和所述第1下表面区域隔开的位置，距所述旋转台的高度为第2高度；第2空间，其形成于所述第2下表面区域和所述旋转台之间；第3下表面区域，其是所述顶板下表面上的、包含所述第1分离气体供给部、且沿所述旋转台的旋转方向位于所述第1分离气体供给部两侧的部分，距所述旋转台的高度为比所述第1高度和所述第2高度都要低的第3高度；狭窄的第3空间，其形成于所述第3下表面区域和所述旋转台之间，具有用于使从所述第1分离气体供给部流出的所述第1分离气体流入所述第1空间和所述第2空间的所述第3高度；中心部区域，其是所述顶板的下表面上的设置有第2分离气体供给部的部分，该第2分离气体供给部用于向所述旋转台的旋转中心的所述基板载置部侧，供给用于将所述第1反应气体和所述第2反应气体分离开的第2分离气体；排气口，其将所述第1反应气体和所述第2反应气体，连同向所述第3空间按两侧喷出的所述第1分离气体和自所述中心部区域喷出的所述第2分离气体一起排出；电动机，其设置在所述旋转台的旋转轴的下方，驱动所述旋转台旋转，并且，所述旋转台的旋转轴和所述电动机的驱动轴以不发生空转的方式连接。