[发明专利]一种LED外延结构无效
申请号: | 200910172336.5 | 申请日: | 2009-09-30 |
公开(公告)号: | CN101692474A | 公开(公告)日: | 2010-04-07 |
发明(设计)人: | 宋明;盛毅;吉爱华 | 申请(专利权)人: | 郑州汉威光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 郑州科维专利代理有限公司 41102 | 代理人: | 马忠 |
地址: | 450016 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开了一种LED外延结构,包括衬片层、金刚石衬底层、低温GaN缓冲层、N-GaN接触、lnGaN/GaN(掺AI)发光层、P+GaN接触、Si/Ni/Be/Au透明导电层。该LED外延结构具有两大特点:(1)即使接通大电流发光效率仍继续增加,(2)耐高温,这种外延片做出的芯片具有优越的稳定性,大大提高了大功率LED的寿命,打开了用大功率紫外光推广绿色节能环保LED照明的大门。 | ||
搜索关键词: | 一种 led 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种LED外延结构:其特征在于:包括衬片层1、金刚石衬底层2、低温GaN缓冲层3、N-GaN接触4、、lnGaN/GaN(掺AI)发光层5、P+GaN接触6、Si/Ni/Be/Au透明导电层7。
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