[发明专利]玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法及沉积室

摘要

本发明公开了玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法及适用该方法的沉积室，方法是在带有织构的透明导电膜(TCO)玻璃为衬底，在沉积室内沉积硅薄膜，用所需频率的光照，依次用等离子体反应沉积，制备稳定均匀的p、i、n层硅薄膜太阳能电池。光的频率条件：1012-1017Hz；光照时间退火2-70分钟。不同的频率的光子能量不同，产生不同性质的多晶硅薄膜，沉积和光照的步骤可以在沉积室内沉积、光照退火一次完成，并且可以根据需要交替多次进行。该制备方法大大降低工艺复杂度和生产成本，玻璃与硅膜不易分离，提高硅薄膜的结晶效果及其硅薄膜电池的效率和稳定性。

主权项

一种玻璃衬底上光控制备硅薄膜太阳能电池的方法，其特征在于是按下述步骤制备而成：(1)、以标准工艺清洗的带有织构的透明导电膜的玻璃为衬底；(2)、将清洗过的玻璃衬底置于沉积室中，用所需频率的光照，依次用等离子体反应沉积，制备稳定均匀的p、i、n层硅薄膜太阳能电池，光的频率条件：1012-1017Hz；光照退火时间2-70分钟，不同的频率的光子能量不同，产生不同性质的多晶硅薄膜，在真空状态下自然冷却到室温；(3)、然后取出，然后再蒸镀金属电极铝，电池电极从透明导电膜和铝引出，这样就在玻璃衬底上制备硅薄太阳能电池。