[发明专利]制造具有应力消除层的传感器装置的方法无效
申请号: | 200910173376.1 | 申请日: | 2009-08-11 |
公开(公告)号: | CN101667548A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
发明(设计)人: | W·亨齐克;F·布雷姆;R·胡梅尔 | 申请(专利权)人: | 森斯瑞股份公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;G01K7/01;G01N27/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 屠长存 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | 提供一种封装具有集成到半导体芯片(5)上的敏感结构(2)的传感器装置的方法。当模塑该装置制装时,模子的向内延伸部分(11)保持对于传感器的通道开口。缓冲层(6)设置在向内延伸部分(11)和敏感结构之间的芯片上。缓冲层(6)保护敏感结构(2)不受向内延伸部分(11)的损害并且用作模塑壳体时的密封。缓冲层(6)还覆盖集成到芯片(5)上的电路(3)的半导体电子元件的至少一部分。通过覆盖这些元件,例如由封装与芯片的不同热膨胀系数引起的机械应力可被减小。 | ||
搜索关键词: | 制造 具有 应力 消除 传感器 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种传感器装置的制造方法,所述传感器装置具有带集成敏感结构(2)和集成电路(3)的芯片(5),并且其中所述电路(3)包括半导体电子元件,尤其是非线性和/或有源电子元件,所述方法包括以下步骤:将围绕所述敏感结构(2)的缓冲层(6)集成到所述芯片(5)的表面上,提供模子(8,9),所述模子(8,9)限定出内部空间(10)并且具有延伸到所述内部空间(10)内的部分(11),将所述芯片(5)放入所述模子(8,9)中,使得所述部分(11)紧靠所述缓冲层(6),将硬化材料引入所述模子(8,9)中以在所述芯片(5)上铸造壳体(10),在所述材料至少部分地硬化后,移除所述部分(11),由此形成延伸到所述敏感结构(2)内的通道开口(15),其特征在于所述缓冲层(6)覆盖所述半导体电子元件的至少一部分,尤其是所述非线性和/或有源电子元件的至少一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造