[发明专利]制造具有应力消除层的传感器装置的方法无效

专利信息
申请号: 200910173376.1 申请日: 2009-08-11
公开(公告)号: CN101667548A 公开(公告)日: 2010-03-10
发明(设计)人: W·亨齐克;F·布雷姆;R·胡梅尔 申请(专利权)人: 森斯瑞股份公司
主分类号: H01L21/56 分类号: H01L21/56;G01K7/01;G01N27/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 屠长存
地址: 瑞士*** 国省代码: 瑞士;CH
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摘要: 提供一种封装具有集成到半导体芯片(5)上的敏感结构(2)的传感器装置的方法。当模塑该装置制装时,模子的向内延伸部分(11)保持对于传感器的通道开口。缓冲层(6)设置在向内延伸部分(11)和敏感结构之间的芯片上。缓冲层(6)保护敏感结构(2)不受向内延伸部分(11)的损害并且用作模塑壳体时的密封。缓冲层(6)还覆盖集成到芯片(5)上的电路(3)的半导体电子元件的至少一部分。通过覆盖这些元件,例如由封装与芯片的不同热膨胀系数引起的机械应力可被减小。
搜索关键词: 制造 具有 应力 消除 传感器 装置 方法
【主权项】:
1.一种传感器装置的制造方法,所述传感器装置具有带集成敏感结构(2)和集成电路(3)的芯片(5),并且其中所述电路(3)包括半导体电子元件,尤其是非线性和/或有源电子元件,所述方法包括以下步骤:将围绕所述敏感结构(2)的缓冲层(6)集成到所述芯片(5)的表面上,提供模子(8,9),所述模子(8,9)限定出内部空间(10)并且具有延伸到所述内部空间(10)内的部分(11),将所述芯片(5)放入所述模子(8,9)中,使得所述部分(11)紧靠所述缓冲层(6),将硬化材料引入所述模子(8,9)中以在所述芯片(5)上铸造壳体(10),在所述材料至少部分地硬化后,移除所述部分(11),由此形成延伸到所述敏感结构(2)内的通道开口(15),其特征在于所述缓冲层(6)覆盖所述半导体电子元件的至少一部分,尤其是所述非线性和/或有源电子元件的至少一部分。
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