[发明专利]发光二极管元件的制造方法有效
| 申请号： | 200910173403.5 | 申请日： | 2009-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN101673800A | 公开（公告）日： | 2010-03-17 |
| 发明（设计）人： | 陈鼎元;林宏远;余振华;邱文智 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/82;H01L21/50 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管元件的制造方法，以及将发光二极管元件从生长基底分离，该发光二极管元件经由在生长基底之上形成发光二极管结构而形成，该方法包括形成并图案化掩模层于生长基底上，形成第一接触层于图案化掩模层之上，使得第一接触层与图案化掩模层之间具有空气架桥，第一接触层可以是发光二极管结构的接触层，于发光二极管结构形成之后，沿着空气架桥将生长基底与发光二极管结构分离。本发明可减少废弃物并降低成本。空气架桥也可帮助从大的生长基底上分离大面积薄膜，因此可提升生产率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管元件的制造方法，包括：提供一第一基底；形成并图案化一掩模层于该第一基底上，产生一图案化掩模层；形成一第一接触层于该图案化掩模层之上，使得该第一接触层与该图案化掩模层之间具有一空气间隙；形成一发光二极管结构，其中该第一接触层为该发光二极管结构的一接触层；形成一第二基底于该发光二极管结构上，该第二基底具有导电性；以及将该发光二极管结构与该第一基底分离。
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