[发明专利]粉体的合成方法以及电子部件的制造方法无效
| 申请号： | 200910174153.7 | 申请日： | 2009-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101712557A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄锦涛;井村友哉;中畑功;增泽清幸 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | C04B35/626 | 分类号： | C04B35/626;C04B35/468;H01G4/12;B82B3/00 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种粉体的合成方法，其可以减少对反应容器等的腐蚀、减少由腐蚀导致的产物中杂质的混入，或者可以扩大反应容器等的材质的选择范围。通过使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，并将生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒，与仅有水时相比，可以缓和用于形成亚临界或者超临界状态的临界条件。 | ||
| 搜索关键词： | 合成 方法 以及 电子 部件 制造 | ||
【主权项】：
一种粉体的合成方法，其特征在于，使用水和在比仅有水时更低温度和更低压力下处于超临界状态的溶剂的混合溶剂，通过加热和加压中的至少一者生成亚临界或者超临界状态的反应环境，将前述生成的亚临界或者超临界状态的反应环境作为反应场，使粉体原料在该反应场中停留预定时间，生成粉体微粒。
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