[发明专利]选择性射极结构的电极图形的对齐方法无效
申请号: | 200910174161.1 | 申请日: | 2009-09-29 |
公开(公告)号: | CN102034891A | 公开(公告)日: | 2011-04-27 |
发明(设计)人: | 苏绍鹏 | 申请(专利权)人: | 益通光能科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 北京市浩天知识产权代理事务所 11276 | 代理人: | 许志勇;刘云贵 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明涉及一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,包括下列步骤:首先提供一基材,接着于基材的一表面上形成一障壁图案,其中障壁图案部分覆盖基材的表面,且障壁图案覆盖的基材的表面定义出一第一区域,而障壁图案未覆盖的基材的表面定义出一第二区域。随后,改变第二区域的基材的表面特性,借此使第一区域与第二区域的基材具有不同的表面性质,以形成一图形化可视标记。 | ||
搜索关键词: | 选择性 结构 电极 图形 对齐 方法 | ||
【主权项】:
一种选择性射极结构的电极图形的对齐方法,其特征在于包括:提供一基材;于所述基材的一表面上形成一障壁图案,其中所述障壁图案部分覆盖所述基材的所述表面,且所述障壁图案覆盖的所述基材的所述表面定义出一第一区域,而所述障壁图案未覆盖的所述基材的所述表面定义出一第二区域;改变所述第二区域的所述基材的表面特性,借此使所述第一区域与所述第二区域的所述基材具有不同的表面性质,而形成一图形化可视标记;由所述基材的所述表面移除所述障壁图案;以及以所述图形化可视标记作为一对准标记。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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