[发明专利]光掩模制造方法以及光掩模无效
申请号: | 200910174246.X | 申请日: | 2009-09-25 |
公开(公告)号: | CN101685254A | 公开(公告)日: | 2010-03-31 |
发明(设计)人: | 佐野道明;早瀬三千彦 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/00 | 分类号: | G03F1/00;G03F1/14 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 黄纶伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及光掩模制造方法以及光掩模,该光掩模制造方法包括:准备在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯体的工序;对形成在所述遮光膜上的抗蚀剂膜进行构图来形成抗蚀剂图案的工序;将抗蚀剂图案作为掩模对遮光膜进行蚀刻并形成遮光膜图案的工序;以及对形成的遮光膜图案进行缺陷检查,当存在由过剩物引起的黑缺陷时对该缺陷部分进行修正的工序。对缺陷部分进行修正的工序在光掩模上再次形成抗蚀剂膜,在包含缺陷部分的规定区域中进行规定的图案描绘并显影,来形成修正用抗蚀剂图案,并将该抗蚀剂图形作为掩模实施蚀刻,去除缺陷部分的过剩物。 | ||
搜索关键词: | 光掩模 制造 方法 以及 | ||
【主权项】:
1.一种光掩模制造方法,其包括:准备在透明基板上形成有遮光膜的光掩模坯体的工序;对形成在所述遮光膜上的抗蚀剂膜进行构图来形成抗蚀剂图案的工序;将所述抗蚀剂图案作为掩模对所述遮光膜进行蚀刻并形成遮光膜图案的工序;以及对形成的遮光膜图案进行缺陷检查,当存在由过剩物引起的黑缺陷时对该缺陷部分进行修正的工序,该光掩模制造方法的特征在于,对所述缺陷部分进行修正的工序包括以下工序:确定所述缺陷部分的工序;在所述光掩模上再次形成抗蚀剂膜的工序;在包含所述缺陷部分的规定区域中,进行基于描绘图案数据的图案描绘,在描绘后进行显影来形成修正用抗蚀剂图案的工序,其中所述描绘图案数据是根据所述确定的缺陷部分的位置和形状而制作的;以及将所述修正用抗蚀剂图案作为掩模来实施蚀刻,去除所述缺陷部分的过剩物的工序,所述抗蚀剂图案包括第一标记,所述修正用抗蚀剂图案包括第二标记,所述光掩模制造方法还具有:在形成所述修正用抗蚀剂图案后或者在去除所述缺陷部分的过剩物的工序后的至少任意一方进行检查的工序,该进行检查的工序包括下述工序:在形成所述修正用抗蚀剂图案后进行检查的情况下,测定与所述第一标记对应的遮光膜图案的边缘和所述修正用抗蚀剂图案中的第二标记的边缘之间的距离;在去除所述缺陷部分的过剩物的工序后进行检查的情况下,测定与所述第一标记对应的遮光膜图案的边缘和与所述第二标记对应的遮光膜图案的边缘之间的距离,并检查所述距离是否在规定范围内。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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