[发明专利]微结构制造方法有效
| 申请号： | 200910174511.4 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102030303A | 公开（公告）日： | 2011-04-27 |
| 发明（设计）人： | 陈晓翔;叶力垦;刘政谚 | 申请（专利权）人： | 微智半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 中国台湾新竹市光复*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种应用于半导体制程的微结构制造方法。此微结构制造方法包括以下步骤。先形成内含有微结构、多个金属电路与金属连接层的绝缘层于硅基底上。其中微结构与金属电路平行并排于绝缘层内，金属连接层则与金属电路电性连接，且金属连接层外露于绝缘层表面。之后，沉积保护层于金属连接层与绝缘层表面，并进行蚀刻以令微结构悬浮。借此避免微结构与金属连接层遭到蚀刻液侵蚀破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种微结构制造方法，应用于半导体制程，其特征在于，该微结构制造方法包括：形成内含有一微结构、多个金属电路与一金属连接层的一绝缘层于一硅基底上，其中该微结构与该些金属电路平行并排于该绝缘层内，该金属连接层与该些金属电路电性连接，且该金属连接层外露于该绝缘层表面；沉积一保护层于该金属连接层与该绝缘层表面；以及蚀刻悬浮该微结构。
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