[发明专利]制造半导体装置的方法无效

专利信息
申请号: 200910174743.X 申请日: 2009-09-17
公开(公告)号: CN101685784A 公开(公告)日: 2010-03-31
发明(设计)人: 高松亘 申请(专利权)人: 恩益禧电子股份有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56;H01L21/302;H01L21/78
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 代理人: 孙志湧;安 翔
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种制造半导体装置的方法。在制造半导体装置的方法中,在其主表面上具有第一电极的基板和在其第一主表面上具有第二电极的半导体芯片被布置成使得基板的主表面和半导体芯片的第一主表面彼此相对,并且第一电极和第二电极被连接成电连接基板和半导体芯片。通过研磨半导体芯片的与第一主表面相对的第二主表面,使半导体芯片减薄,所述半导体芯片与基板相连接。用树脂密封被减薄的半导体芯片的侧表面和第二主表面。
搜索关键词: 制造 半导体 装置 方法
【主权项】:
1.一种制造半导体装置的方法,包括:布置在其主表面上具有第一电极的基板和在其第一主表面上具有第二电极的半导体芯片,使得所述基板的主表面和所述半导体芯片的第一主表面彼此相对,并且连接所述第一电极和所述第二电极,以便电连接所述基板和所述半导体芯片;通过研磨所述半导体芯片的与所述第一主表面相对的第二主表面,使所述半导体芯片减薄,所述半导体芯片与所述基板相连接;以及用树脂密封被减薄的所述半导体芯片的侧表面和所述第二主表面。
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