[发明专利]载置台无效
| 申请号： | 200910175091.1 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101685792A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 筱原荣一;山田浩史;土生阳一郎 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种载置台，该载置台能够降低顶板的表面电阻，得到稳定的测定结果，并且能够降低制造成本，进一步而言，即使向顶板施加高电压也能够使顶板从下侧部件确实地电绝缘，能够确实防止从顶板泄露电流。本发明的载置台(20)具备：具有半导体晶片(W)的载置面并由无氧铜构成的顶板(21)；连续地覆盖该顶板(21)的下表面(21A)和侧面(21B)的下部并由氧化铝构成的绝缘覆膜(22)；和以与该绝缘覆膜(22)接触的方式配置并由无氧铜构成的冷却套筒(23)，氧化铝的纯度在99.99重量％以上，在顶板(21)的下表面(21A)上形成大于等于0.4mm小于1.0mm的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 载置台 | ||
【主权项】：
1.一种载置台，其载置被检查体，其特征在于，具有：上部板状体，具有所述被检查体的载置面并由导电性材料构成；绝缘覆膜，连续地覆盖该上部板状体的与所述载置面相反侧的面以及侧面的至少下部并由电绝缘材料构成；和下部板状体，以与该绝缘覆膜接触的方式配置并由导电性材料构成，所述电绝缘材料为纯度99.99重量％以上的氧化铝，在所述上部板状体的下表面形成大于等于0.4mm小于1.0mm的厚度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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