[发明专利]有效控制单晶硅中碳含量的方法无效
| 申请号： | 200910175320.X | 申请日： | 2009-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN101724890A | 公开（公告）日： | 2010-06-09 |
| 发明（设计）人： | 刘彬国;张呈沛;何京辉 | 申请（专利权）人： | 晶龙实业集团有限公司;宁晋晶兴电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 米文智 |
| 地址： | 055550 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种有效控制单晶硅中碳含量的方法，该方法通过合理搭配使用不同碳含量的原料，拉制单晶硅之前就合理计算出每炉料中的平均碳含量，因此极大地提高了次级料的利用率，并且有效控制了单晶硅中的碳含量，同时节约了生产成本，提高了经济效益。 | ||
| 搜索关键词： | 有效 控制 单晶硅 含量 方法 | ||
【主权项】：
一种有效控制单晶硅中碳含量的方法，其特征在于包括以下步骤：1)测量并详细记载清楚所采用每种原材料的碳含量Ci，准确测量每种原材料的重量Mi；2)按照公式C＝(C1×M1+C2×M2+C3×M3……)×0.07/ρM配制原料，使所配原料碳含量≤10×1016atoms/cm3；其中：C为所配原料的碳含量，C1、C2、C3……为每种原材料的碳含量，M1、M2、M3……为对应不同碳含量C1、C2、C3……的原材料的质量，0.07为分凝系数，ρ为硅的密度，M为所配原料的总量；3)将所配原料放入单晶硅炉内，加热熔融提拉单晶硅；4)测量所拉制的单晶硅的顶端、中部及尾端的碳含量，将单晶硅上碳含量＞10×1016atoms/cm3的部位切除，作为下次拉制单晶硅的原材料使用。
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