[发明专利]微反射镜阵列制造方法有效

专利信息
申请号: 200910175401.X 申请日: 2009-11-12
公开(公告)号: CN101718906A 公开(公告)日: 2010-06-02
发明(设计)人: 徐永青;杨拥军;李艳丽 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
主分类号: G02B26/08 分类号: G02B26/08
代理公司: 石家庄国为知识产权事务所 13120 代理人: 米文智
地址: 050051 河北省石家庄市中国*** 国省代码: 河北;13
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摘要: 发明公开了一种微反射镜阵列制造方法,用于对高填充因子、大角度扭转、大阵列微反射镜阵列的制造。该方法采用体硅MEMS加工技术、垂直梳齿驱动方式、晶片键合工艺以及刻蚀技术,特点是中间驱动层加工好后进行晶片键合,在驱动层上方覆盖一层反射镜面,在此基础上采用独创的深刻蚀释放技术释放驱动层中保留的支撑柱,实现微反射镜的扭转,从而达到高填充因子、大角度扭转、低电压驱动的目的。
搜索关键词: 反射 阵列 制造 方法
【主权项】:
一种微反射镜阵列制造方法,该方法采用体硅MEMS加工技术、垂直梳齿驱动方式、晶片键合工艺以及刻蚀技术,其特征在于:中间驱动层加工好后进行晶片键合,在驱动层上方覆盖一层反射镜面,在此基础上采用独创的深刻蚀释放技术释放驱动层中保留的支撑柱,实现微反射镜的扭转,具体步骤为:1)双面抛光衬底玻璃片(1)、驱动结构层硅片(2)、反射镜面层硅片(3);2)在衬底玻璃片(1)上涂覆光刻胶,曝光、显影后得到电极布线图形;3)在衬底玻璃片(1)上形成金属层,并采用剥离工艺去掉不需要的金属,形成金属布线;4)在驱动结构层硅片(2)的正面涂覆光刻胶,曝光、显影后得到定驱动梳齿(10)、锚点、支撑柱(11)的结构图形;5)对步骤4)的硅片采用深反应离子刻蚀垂直腐蚀掉没有光刻胶保护的部分,形成定驱动梳齿(10)、锚点、支撑柱(11)结构;6)衬底玻璃片(1)与驱动结构层硅片(2)正面静电键合;7)在驱动结构层硅片(2)背面涂覆光刻胶,曝光、显影后得到动驱动梳齿(4)、扭梁(8)的结构图形;8)对步骤7)的硅片(2)采用深反应离子刻蚀垂直腐蚀掉无光刻胶保护的部分,形成动驱动梳齿(4)、扭梁(8)结构;9)在反射镜面层硅片(3)的正面上形成键合金属层(6);10)在反射镜面层硅片(3)正面涂覆光刻胶,曝光、显影得到金属-硅共晶键合锚点图形;11)对反射镜面层硅片(3)正面进行深反应离子刻蚀,形成扭梁(8)上方的悬空区域;12)将反射镜面层硅片(3)的正面和驱动结构层硅片(2)的背面共晶键合;13)在反射镜面层硅片(3)的背面涂覆光刻胶,曝光、显影后得到支撑柱释放孔(7)、镜面单元周边释放槽的结构图形;14)采用深反应离子刻蚀释放工艺在反射镜面层硅片(3)背面刻蚀形成支撑柱释放孔(7),释放支撑柱(11),并形成镜面单元周边释放槽,释放微镜单元。
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