[发明专利]记忆胞及其制造方法以及记忆体结构

摘要

本发明是有关于一种记忆胞及其制造方法以及记忆体结构。该记忆胞，其包括基底、绝缘层、栅极、电荷储存结构、第一源极/漏极区、第二源极/漏极区与沟道层。绝缘层配置于基底上。栅极配置于绝缘层上。电荷储存结构配置于绝缘层与栅极上。第一源极/漏极区配置于位于栅极的二侧的电荷储存结构上。第二源极/漏极区配置于位于栅极的顶部的电荷储存结构上。沟道层配置于位于栅极的侧壁上的电荷储存结构上，且与第一源极/漏极区以及第二源极/漏极区电性连接。藉由本发明的记忆胞，可以减少击穿现象的发生。

主权项

一种记忆胞，其特征在于其包括：一基底；一绝缘层，配置于该基底上；一栅极，配置于该绝缘层上；一电荷储存结构，配置于该绝缘层与该栅极上，覆盖该栅极的顶部及侧壁与该栅极两侧的该绝缘层的表面；一第一源极/漏极区，配置于位于该栅极的二侧的该电荷储存结构上；一第二源极/漏极区，配置于位于该栅极的顶部的该电荷储存结构上；以及一沟道层，配置于位于该栅极的侧壁上的该电荷储存结构上，且与该第一源极/漏极区以及该第二源极/漏极区电性连接。