[发明专利]光电转换元件、光电转换装置、及图像传感器

摘要

本发明涉及光电转换元件、光电转换装置及图像传感器，提高光学传感器对红外光进行检测的检测性能、并降低由该光学传感器产生的泄漏电流。取代非晶硅等非晶质半导体层而由微晶硅(以下称为“μ-CSi”)等微结晶半导体构成受光层(151c)。根据这样的受光层，与使用非晶硅等非晶质半导体层的情况相比，对于包含红外光的入射光可提高受光灵敏度。第1中间层(151b)夹设在第1半导体层(151a)及受光层之间，构成了将第1半导体层及受光层相互接合的接合层。第1中间层由非晶硅等非晶质半导体构成。因此，根据光学传感器(151)，基于第1中间层的存在，可抑制因在受光层中使用μC-Si等微结晶半导体而产生的泄漏电流的增大。

主权项

一种光电转换元件，其特征在于，具备：由微结晶半导体构成的受光层；在前述受光层的一个面侧形成的第1导电型的第1半导体层；和夹设在前述第1半导体层及前述受光层之间、且由非晶质半导体构成的第1中间层。