[发明专利]一种外腔半导体激光器无效

专利信息
申请号: 200910176602.1 申请日: 2009-09-23
公开(公告)号: CN102025107A 公开(公告)日: 2011-04-20
发明(设计)人: 彭瑜;曹建平;李烨;方占军;臧二军 申请(专利权)人: 中国计量科学研究院
主分类号: H01S5/14 分类号: H01S5/14;H01S5/10;H01S5/065;H01S5/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 李弘
地址: 100013*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开一种外腔半导体激光器,包括:半导体激光管、单块环形F-P腔和光折变晶体;所述半导体激光器中各部件的布设使得从半导体激光管发出的光束从所述单块环形F-P腔的输入面入射进入所述单块环形F-P腔,经过至少两个反射面反射后,回到输入面的入射点;从所述单块环形F-P腔其中一个反射面的透射光作为该单块环形F-P腔的出射光入射到所述光折变晶体,并被按原路径反馈回半导体激光管。本发明实现了输出稳定的窄线宽,单模的大范围调谐。同时解决了分立元件F-P腔稳定性不好,易受到外界干扰,体积过大和系统复杂等问题。
搜索关键词: 一种 半导体激光器
【主权项】:
一种外腔半导体激光器,其特征在于,包括:半导体激光管、单块环形F‑P腔和光折变晶体;所述半导体激光器中各部件的布设使得从半导体激光管发出的光束从所述单块环形F‑P腔的输入面入射进入所述单块环形F‑P腔,经过至少两个反射面反射后,回到输入面的入射点;从所述单块环形F‑P腔其中一个反射面的透射光作为该单块环形F‑P腔的出射光入射到所述光折变晶体,并被按原路径反馈回半导体激光管。
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