[发明专利]永磁场直拉硅单晶的工艺及附属设备无效
| 申请号： | 200910176611.0 | 申请日： | 2009-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN101906658A | 公开（公告）日： | 2010-12-08 |
| 发明（设计）人： | 徐岳生;王海云;刘彩池;顾励生;李幼斌;王继炎;郎益谦 | 申请（专利权）人： | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300410 天津市天津空*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明使用钕铁硼永磁体向熔体空间引入磁场，用以抑制硅熔体热对流。同时，磁场拉晶还可以控制硅单晶的氧浓度及均匀性，改善晶体电阻率均匀性，提高非平衡少数载流子寿命，并且由于硅熔体平稳安静，便于拉晶操作，成品率可提高5％左右。 | ||
| 搜索关键词： | 永磁 场直拉硅单晶 工艺 附属 设备 | ||
【主权项】：
一种直拉硅单晶的工艺，其特征在于向熔体空间引入可变磁感应强度的磁场。
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