[发明专利]基于距相邻MOS晶体管的栅极间距的电路仿真无效
| 申请号： | 200910177644.7 | 申请日： | 2009-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN101685478A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 坂元英雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了基于距相邻MOS晶体管的栅极间距的电路仿真。电路仿真设备被提供有参数计算工具(32)和电路仿真器(31)。参数计算工具(32)被构造为从集成电路的布局数据中提取集成在集成电路中的目标MOS晶体管和相邻MOS晶体管的栅极之间的栅极间距，并且基于提取的栅极间距计算与目标MOS晶体管的阈值电压相对应的晶体管模型参数。电路仿真器(31)被构造为通过使用计算的晶体管模型参数执行集成电路的电路仿真。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 相邻 mos 晶体管 栅极 间距 电路 仿真 | ||
【主权项】：
1.一种电路仿真设备，包括：参数计算工具，所述参数计算工具被构造为从集成电路的布局数据中提取集成在所述集成电路中的目标MOS晶体管和相邻MOS晶体管的栅极之间的栅极间距，并且基于所述提取的栅极间距计算与所述目标MOS晶体管的阈值电压相对应的晶体管模型参数；和电路仿真器，所述电路仿真器被构造为通过使用所述计算的晶体管模型参数执行所述集成电路的电路仿真。
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