[发明专利]分区域激光退火及前馈工艺控制有效
| 申请号： | 200910177848.0 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101789366A | 公开（公告）日： | 2010-07-28 |
| 发明（设计）人： | 杨宗儒;陈其贤;黃循康 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/66;G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 梁永 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及分区域激光退火及前馈工艺控制。一种方法，包括将半导体晶片划分为多个管芯区域，产生所述半导体晶片的绘图，利用激光对半导体晶片的多个管芯区域的每一个进行扫描，以及基于通过半导体晶片绘图确定的管芯区域数值在扫描过程中对激光的参数进行调整。所述绘图基于在每个管芯区域的第一次测量来表现管芯区域的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 区域 激光 退火 工艺 控制 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：提供具有多个管芯区域的半导体晶片；对每个单独管芯区域内的测试结构的特性进行测量；以及对于每个单独管芯区域：(1)基于管芯区域内所述测试结构的测量特性对激光参数进行调整；以及(2)利用基于管芯区域内所述测试结构的测量特性调整的所述激光，对管芯区域进行退火。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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