[发明专利]静态随机存取存储器单元无效
| 申请号： | 200910178040.4 | 申请日： | 2009-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN101685667A | 公开（公告）日： | 2010-03-31 |
| 发明（设计）人： | 刘逸群;周绍禹;廖宏仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 姜 燕;陈 晨 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种静态随机存取存储器，包括交叉耦接(cross-coupled)的一对反向器、一第一NMOS晶体管、一第二NMOS晶体管以及一第三NMOS晶体管。一对反向器交叉耦接且具有第一存储节点；第一NMOS晶体管具有一漏极连接于第一存储节点，以及一源极连接于第一信号线；第二NMOS晶体管具有一漏极连接于一第二信号线、源极连接于第一NMOS晶体管的一栅极，以及一栅极连接于一第三信号线；第三NMOS晶体管具有一漏极连接于第一MOS晶体管的栅极、一源极连接于接地端(VSS)，以及一栅极连接于一第四信号线，其中第四信号线互补于第三信号线。本发明提供的静态随机存取存储器在对邻近的存储器单元进行存取时具有最小的干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
1.一种静态随机存取存储器单元，包括：一对反向器，交叉耦接且具有一第一存储节点；一第一NMOS晶体管，具有一漏极连接于上述第一存储节点，以及一源极连接于一第一信号线；一第二NMOS晶体管，具有一漏极连接于一第二信号线、一源极连接于上述第一NMOS晶体管的一栅极，以及一栅极连接于一第三信号线；以及一第三NMOS晶体管，具有一漏极连接于上述第一MOS晶体管的栅极、一源极连接于一接地端，以及一栅极连接于一第四信号线，上述第四信号线互补于上述第三信号线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200910178040.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用户可创建机器
- 下一篇：大平板显示器中的交互性
