[发明专利]挠性传感器单元的制备方法、所制得的挠性传感器单元及含该传感器单元的数组无效

专利信息
申请号: 200910178167.6 申请日: 2009-10-15
公开(公告)号: CN101728303A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 范龙生;温环岸 申请(专利权)人: 范龙生;温环岸
主分类号: H01L21/70 分类号: H01L21/70;H01L21/02;H01L21/78;H01L21/50;H01L27/00
代理公司: 北京泛诚知识产权代理有限公司 11298 代理人: 文琦;陈波
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 发明提供一种从晶圆制备挠性传感器单元的方法,该晶圆包含多个传感器结构,各传感器结构包括:基板;金属-氧化物层;至少一个网状结构,位于所述金属-氧化物层中;以及电气导线,包括位于该金属-氧化物层中的至少一个第一接触片。该方法包括:蚀刻金属-氧化物层以释放网状结构;在网状结构上形成密封层;在金属-氧化物层上形成第一挠性材料层;及除去基板的相当厚度,该除去的厚度足使传感器结构具挠性。替代的方法为第一挠性材料层可在释放网状结构之前形成。该方法还可包括在晶圆背面形成第二挠性层的步骤。本发明还揭示根据该方法所制备的挠性传感器单元的新颖结构。同时也揭示一种包含多个该挠性传感器单元的数组。
搜索关键词: 传感器 单元 制备 方法 数组
【主权项】:
一种由传感器结构制备挠性传感器单元的方法,所述传感器结构包括:基板;金属-氧化物层;至少一个网状结构,其位于所述金属-氧化物层中;以及电气导线,包括至少一个第一接触片,其位于所述金属-氧化物层中;所述方法包括下列步骤:蚀刻所述金属-氧化物层以释放所述网状结构;在所述网状结构上形成一密封层;在所述金属-氧化物层上形成一第一挠性材料层;及除去所述基板的相当厚度,该除去的厚度足以使所述传感器结构具挠性。
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