[发明专利]图像传感器和其制造方法无效
| 申请号： | 200910178563.9 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101715075A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 黄俊 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L21/82 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 杜诚;李春晖 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种图像传感器和其制造方法。图像传感器包括：读出电路、层间电介质、互连、图像感测器件以及接触。读出电路形成在第一衬底处。层间电介质形成在第一衬底上。互连形成在层间电介质中。互连电气连接到读出电路。图像感测器件形成在互连上。图像感测器件包括第一导电型层和第二导电型层。接触电气连接图像感测器件的第一导电型层和互连。接触通过在第二导电层中形成的围绕接触的沟槽与第二导电型层隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 图像传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种图像传感器，包括：在第一衬底处的读出电路；在第一衬底上的层间电介质；在层间电介质中的互连，所述互连电气连接到所述读出电路；所述互连上的图像感测器件，所述图像感测器件包括第一导电型层和第二导电型层；以及接触，将所述图像感测器件的第一导电型层和所述互连电气连接，其中，所述图像感测器件的第二导电型层的与所述接触相接触的部分被去除。
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