[发明专利]白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉无效
| 申请号： | 200910178588.9 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101712871A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 索辛纳姆;罗维鸿;蔡绮睿 | 申请（专利权）人： | 罗维鸿 |
| 主分类号： | C09K11/86 | 分类号： | C09K11/86;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 200231 上海市徐*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种白光发光二极管及其碘化物石榴石荧光粉，所述碘化物石榴石荧光粉，其是以石榴石架构的稀土氧化物元素为基质，其特征在于：在该荧光粉材料中添加引入碘离子I-1及硅离子Si+4，阴离子晶格中相互补偿电子，形成如下化学计量公式：(∑Ln)3Al2[(Al1-xSixO4-xIx]3，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/或La及/或Ce及/或Pr；该荧光粉辐射经过在一InGaN半导体异质结的激发下可产生长波位移。此外，本发明还揭示一种碘化物石榴石荧光粉的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 白光 发光二极管 及其 碘化物 石榴石 荧光粉 | ||
【主权项】：
一种碘化物石榴石荧光粉，其是以石榴石架构的稀土氧化物元素为基质，其特征在于：在该荧光粉材料中添加引入碘离子I-1及硅离子Si+4，阴离子晶格中相互补偿电子，形成如下化学计量公式：(∑Ln)3Al2(Al1-xSixO4-xIx)3，其中∑Ln＝Y及/或Gd及/或Tb及/或Lu及/或La及/或Ce及/或Pr；该荧光粉辐射在一InGaN半导体异质结的激发下可产生长波位移。
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