[发明专利]氮化物类半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200910178590.6 | 申请日： | 2009-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN101714743A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 西川学;太田洁;市桥由成 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/00 | 分类号： | H01S5/00;H01S5/343;H01S5/22;H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物类半导体激光元件及其制造方法。该氮化物类半导体激光元件，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有元件所需要的形状的电极层，该电极层包括：形成于氮化物类半导体层的与活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层。而且，第三金属层的厚度为第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 物类 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物类半导体激光元件，其特征在于，具备：氮化物类半导体层，其形成于由氮化物类半导体构成的活性层上；和俯视时具有规定的形状的电极层，该电极层包括：形成于所述氮化物类半导体层的与所述活性层相反侧的表面上且由Pt构成的第一金属层、形成于所述第一金属层的表面上且由Pd构成的第二金属层、和形成于所述第二金属层的表面上且由Pt构成的第三金属层，所述第三金属层的厚度为所述第一金属层的厚度的10倍以上30倍以下。
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