[发明专利]一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET与其制造方法，与现有技术中的沟槽MOSFET相比，根据本发明的沟槽MOSFET，由于源体接触沟槽与体接触区之间的接触面积增大，因而具有较小的接触电阻和更好的接触性能。同时，台阶状沟槽栅的应用使得栅电容和导通电阻过大的问题得以解决。

主权项

一种具有台阶状沟槽栅和改进的源体接触性能的沟槽MOSFET，包括：第一导电类型的衬底；第一导电类型的外延层，该外延层位于所述衬底之上，并且该外延层的多数载流子浓度低于所述衬底；在所述外延层中的多个沟槽；第一绝缘层，衬于所述多个沟槽中；导电区域，位于所述多个沟槽中，靠近所述第一绝缘层，所述导电区域的上表面高于所述外延层的上表面，即具有台阶状结构；第二导电类型的体区，该体区位于所述外延层的上部分，且所述第二导电类型与所述第一导电类型相反；第一导电类型的源区，位于有源区，且位于所述体区的上部分，所述源区的多数载流子浓度高于所述外延层；第二绝缘层，覆盖所述外延层的上表面，并且覆盖所述导电区域高于所述外延层上表面部分的外表面；源体接触沟槽，穿过所述第二绝缘层和所述源区，延伸入所述体区，该源体接触沟槽的侧壁位于所述第二绝缘层和所述源区的部分与所述外延层上表面之间的夹角(θ3、θ4)为90±3度，位于所述体区的部分与外延层上表面之间的夹角(θ1、θ2)小于90度；第二导电类型的体接触区，包围所述源体接触沟槽的底部和位于所述体区的侧壁，且所述体接触区多数载流子浓度高于所述体区。