[发明专利]半导体激光装置有效
| 申请号： | 200910178907.6 | 申请日： | 2009-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101714746A | 公开（公告）日： | 2010-05-26 |
| 发明（设计）人： | 菅原章义 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/16 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体激光装置。该半导体激光装置中的谐振器(100)包括半导体基板(11)、形成半导体基板(11)上或上方的n型覆层(12)和p型覆层(14)、以及夹在n型覆层(12)和p型覆层(14)间的有源层(13)。在谐振器(100)的上表面形成的、在谐振器(100)轴向上延伸的脊(14A)。脊(14A)包括发射侧端部(1)、非发射侧端部(5)、使得脊(14A)的宽度以锥状方式从发射侧端部(1)朝着非发射侧端部(5)减少的锥形部分(2)、以及设置在非发射侧端部(5)的发射侧端部(1)侧的台阶部分(4)，并且使脊的宽度以台阶状方式改变。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光装置，包括具有发射侧端部、非发射侧端部和上表面的谐振器，所述谐振器包括：半导体基板；n型覆层和p型覆层，形成在所述半导体基板上或上方；有源层，夹设在所述n型覆层和所述p型覆层之间；以及凸起部分，在所述谐振器轴向上延伸，形成在所述谐振器的所述上表面上，并且所述凸起部分包括：第一端部，设置在所述发射侧端部；第二端部，设置在所述非发射侧端部，并且具有与所述第一端部的宽度相同的宽度；锥形部分，使得所述凸起部分以锥状方式从所述第一端部向所述第二端部减少，以及台阶部分，设置在所述第二端部对所述第一端部的一侧，并且使得所述凸起部分的宽度以台阶状方式改变。
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