[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板和电子机器有效

专利信息
申请号: 200910179067.5 申请日: 2004-12-15
公开(公告)号: CN101673718A 公开(公告)日: 2010-03-17
发明(设计)人: 伊东春树 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: H01L23/48 分类号: H01L23/48;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的目的在于,提供可以相应于大型芯片、通过细密配线形成多个外部端子、而且连接可靠性高的半导体装置。该半导体装置是在具有多个电极(9)的半导体元件(2)上形成(1)层或多层树脂层、与电极(9)电连接的多个配线(4)和与该配线(4)电连接的多个外部端子(7)的半导体装置(1),多个配线(4)的一部分或全部由从与电极(9)连接的部分向着半导体元件(2)的中心(10)方向的第1配线部(4a)、和与该第1配线部(4a)连接、从半导体元件(2)的中心(10)方向向着外侧与外部端子(7)连接的第2配线部(4b)形成,在第1配线部(4a)和第2配线部(4b)之间至少形成1层树脂层。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法 路基 电子 机器
【主权项】:
1.一种半导体装置,包括:具有电极的半导体元件;与上述电极电连接的外部端子;与上述电极连接的第1配线;与上述外部端子连接的第2配线;在上述第1配线和上述第2配线之间形成的树脂层,上述半导体装置中,上述第2配线通过上述树脂层上形成的过孔与上述第1配线连接,上述第1配线连接上述第2配线的部分,比上述电极更靠近上述半导体元件的中心,上述第1配线连接上述第2配线的部分,比上述外部电极更靠近上述半导体元件的中心。
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