[发明专利]半导体器件的金属互连的制造方法

摘要

一种半导体器件的金属互连的制造方法，包括：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层，在层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案，使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻抗反射层，以形成抗反射图案；使用第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；使用抗反射图案、光致抗蚀剂图案和第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻硬掩模层以形成硬掩模；使用光致抗蚀剂图案、抗反射图案、第一聚合物层和硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻金属层以形成金属互连。在抗反射图案和光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层，使得抗反射图案的设计尺度通过经由第一次蚀刻工艺生成的聚合物而确定。

主权项

一种方法，其包括如下步骤：在半导体衬底上方形成包含接触插塞的层间介电层；在该层间介电层上方形成金属层、硬掩模层和抗反射层；在该抗反射层上方形成光致抗蚀剂图案；使用该光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，在第一次蚀刻工艺中蚀刻该抗反射层，以形成抗反射图案；通过使用在第一次蚀刻工艺中生成的聚合物，在该抗反射图案和该光致抗蚀剂图案的表面上方形成第一聚合物层；通过使用该抗反射图案、该光致抗蚀剂图案和该第一聚合物层作为蚀刻掩模，在第二次蚀刻工艺中蚀刻该硬掩模层，以形成硬掩模；以及通过使用该光致抗蚀剂图案、该抗反射图案、该第一聚合物层和该硬掩模作为蚀刻掩模，在第三次蚀刻工艺中蚀刻该金属层，以形成金属互连。