[发明专利]用于显示设备的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 200910179456.8 | 申请日: | 2009-10-13 |
公开(公告)号: | CN101908537A | 公开(公告)日: | 2010-12-08 |
发明(设计)人: | 金勇烨;柳昌逸 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/82;H01L21/34;H01L21/3205;H01L21/203 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 用于显示设备的阵列基板及其制造方法。一种用于显示设备的阵列基板包括:具有像素区域的基板;基板上的选通线和栅极,栅极连接到选通线;选通线和栅极上的栅绝缘层;栅极上方且位于栅绝缘层上的氧化物半导体层;氧化物半导体层上的辅助图案,辅助图案具有包括钛和钛合金之一的第一部分以及包括钛氧化物的第二部分;辅助图案上的源极和漏极,源极和漏极设置在辅助图案的第一部分上方并且彼此隔开,以露出辅助图案的第二部分;栅绝缘层上方的数据线,数据线与选通线交叉以限定像素区域,并且数据线连接到源极;源极、漏极和数据线上的钝化层,钝化层具有露出漏极的漏接触孔;钝化层上的像素电极,像素电极通过漏接触孔连接到漏极。 | ||
搜索关键词: | 用于 显示 设备 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于显示设备的阵列基板,该阵列基板包括:具有像素区域的基板;位于所述基板上的选通线和栅极,所述栅极连接到所述选通线;位于所述选通线和栅极上的栅绝缘层;位于所述栅极上方且位于栅绝缘层上的氧化物半导体层;位于所述氧化物半导体层上的辅助图案,所述辅助图案具有包括钛和钛合金之一的第一部分以及包括钛氧化物的第二部分;位于所述辅助图案上的源极和漏极,所述源极和漏极设置在所述辅助图案的第一部分上方并且彼此隔开,以露出所述辅助图案的第二部分;位于所述栅绝缘层上方的数据线,所述数据线与所述选通线交叉以限定所述像素区域,并且所述数据线连接到源极;位于所述源极、漏极和数据线上的钝化层,所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔;位于所述钝化层上的像素电极,所述像素电极通过所述漏接触孔连接到所述漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的