[发明专利]背照式固态图像拾取设备无效
申请号: | 200910179470.8 | 申请日: | 2009-10-20 |
公开(公告)号: | CN101728405A | 公开(公告)日: | 2010-06-09 |
发明(设计)人: | 井上郁子 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L23/58;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 钟胜光;王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供了一种背照式固态图像拾取设备,其能够允许外围电路产生稳定的波形,并由此实现具有较小噪声的图像特性。所述设备包括:第一导电型半导体层,所述第一导电型半导体层具有第一主表面和第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相对,并且所述第一导电型半导体层还具有像素区和模拟电路区;第一P型区域,所述第一P型区域被形成为位于模拟电路区中的第二主表面和第一主表面之间;金属层,所述金属层至少部分形成在所述第一P型区域的第二主表面上;VSS电极,所述VSS电极电连接到所述金属层;光转换区,所述光转换区形成在所述像素区中,并且用来累积光电转换所生成的电荷;以及微透镜,所述微透镜设置在所述像素区中的第二主表面上,以便与所述光转换区对应。 | ||
搜索关键词: | 背照式 固态 图像 拾取 设备 | ||
【主权项】:
一种背照式固态图像拾取设备,包括:第一导电型半导体层,其包括第一主表面和第二主表面,所述第二主表面与所述第一主表面相对,并且所述第一导电型半导体层还包括像素区和外围电路区;第二导电型第一杂质层,其被形成为在所述外围电路区中从所述第一主表面到达所述第二主表面;第一金属层,其至少部分形成在所述第二导电型第一杂质层的第二主表面上;第一接地电极,其电连接到所述第一金属层;光转换区,其形成在所述像素区中;以及微透镜,其设置在所述像素区中的所述第二主表面上,以便与所述光转换区对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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